Imprimir página
STP2NK100Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP2NK100ZCopiar
No. Parte Newark57P1925
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP2NK100ZCopiar
No. Parte Newark57P1925
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id1.85
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6.25
Resistencia de Activación Rds(on)6.25ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd70W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El STP2NK100Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de ENCENDIDO, se toman especialidades para garantizar una muy buena capacidad dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama completa ST de MOSFET de potencia de alto voltaje.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacitancia intrínseca muy baja
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6.25
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.85
Resistencia de Activación Rds(on)
6.25ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto