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STP3NK80Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK80Z
No. Parte Newark38K7925
Hoja de datos técnicos
691 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.290 |
| 10+ | $1.820 |
| 100+ | $1.090 |
| 500+ | $1.060 |
| 1000+ | $1.030 |
| 2500+ | $0.962 |
| 10000+ | $0.918 |
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Mínimo: 1
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$2.29
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK80Z
No. Parte Newark38K7925
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)4.5ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP3NK80Z es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 800 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
4.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.5ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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