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STP57N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP57N65M5Copiar
No. Parte Newark45AC7728
Rango de ProductoMDmesh V
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $6.130 |
| 25+ | $6.060 |
| 50+ | $5.970 |
| 100+ | $5.900 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP57N65M5Copiar
No. Parte Newark45AC7728
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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