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STR2P3LLH6
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5792
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7738
Cinta adhesiva45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Su número de pieza
5,314 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.830 | $4.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.830 |
| 10+ | $0.515 |
| 25+ | $0.453 |
| 50+ | $0.392 |
| 100+ | $0.330 |
| 250+ | $0.291 |
| 500+ | $0.252 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.185 |
| 6000+ | $0.176 |
| 12000+ | $0.169 |
| 18000+ | $0.158 |
| 30000+ | $0.148 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5792
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7738
Cinta adhesiva45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.048ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.048ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STR2P3LLH6
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto