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STS5NF60L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 5 A, 0.045 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS5NF60LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark33R1307
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.580 |
| 10+ | $1.060 |
| 100+ | $0.756 |
| 500+ | $0.626 |
| 1000+ | $0.613 |
| 2500+ | $0.601 |
| 10000+ | $0.588 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS5NF60LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark33R1307
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STS5NF60L es un MOSFET de potencia de canal N STripFET ™ desarrollado utilizando un proceso único basado en tiras de Single Feature Size™. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Esquema estándar para un fácil montaje automatizado en superficie
- Unidad de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto