Imprimir página
STW10N95K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW10N95K5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45AC7775
Rango de ProductoSuperMESH 5
Su número de pieza
1,383 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.070 |
| 10+ | $2.530 |
| 25+ | $2.390 |
| 60+ | $2.220 |
| 120+ | $2.080 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.07
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW10N95K5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45AC7775
Rango de ProductoSuperMESH 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds950
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd130W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSuperMESH 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
950
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperMESH 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
130W
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto