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STW68N65DM6-4AG
MOSFET, CANAL N, 650V, 72A, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW68N65DM6-4AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark36AJ4539
Rango de ProductoMDmesh DM6
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101 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.800 |
| 10+ | $11.800 |
| 25+ | $11.590 |
| 50+ | $11.380 |
| 100+ | $11.170 |
| 250+ | $10.950 |
| 500+ | $10.730 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW68N65DM6-4AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark36AJ4539
Rango de ProductoMDmesh DM6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id72A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia480W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh DM6
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
72A
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
480W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
MDmesh DM6
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto