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STW78N65M5
MOSFET, CANAL N, AUTO, 650V, 69A, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW78N65M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark45AC7795
Rango de ProductoMDmesh V
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458 En Stock
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW78N65M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark45AC7795
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id69
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd450W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia450
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
450W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
69
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
450
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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