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VNB35N07TR-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNB35N07TR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1472RL
Cinta adhesiva33R1472
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.950 | $5.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.950 |
| 50+ | $4.480 |
| 100+ | $4.020 |
| 250+ | $4.010 |
| 500+ | $3.740 |
| 1000+ | $3.670 |
| 2500+ | $3.590 |
| 5000+ | $3.520 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNB35N07TR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1472RL
Cinta adhesiva33R1472
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El VNB35N07TR-E es un MOSFET de potencia totalmente autoprotegido de OMNIFET fabricado con tecnología VIPower®. Está diseñado para reemplazar los MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CD a 50kHz. El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada.
- Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
- Protección contra ESD
- Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
- Compatible con MOSFET de potencia estándar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto