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VND7NV04TR-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 45 V, 12 A, 0.06 ohms, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVND7NV04TR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo51AM5410
Cinta adhesiva06X1144
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7,228 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.440 | $3.44 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.44 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.440 |
| 10+ | $2.330 |
| 25+ | $2.110 |
| 50+ | $1.900 |
| 100+ | $1.690 |
| 250+ | $1.540 |
| 500+ | $1.410 |
| 1000+ | $1.340 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.190 |
| 5000+ | $1.130 |
| 10000+ | $1.020 |
| 15000+ | $0.975 |
| 25000+ | $0.941 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVND7NV04TR-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo51AM5410
Cinta adhesiva06X1144
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia totalmente autoprotegido OMNIFET II de canal N de 45 V, 12 A en paquete TO-252 de 3 pines
- Limitación de corriente lineal
- Apagado térmico incorporado, protección contra cortocircuitos
- Abrazadera integrada
- Baja corriente extraída del pin de entrada
- Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
- Protección contra ESD
- Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
- Compatible con MOSFET de potencia estándar de acuerdo con la directiva europea 2002/95/EC
- Diseñado para reemplazar los MOSFET de potencia estándar desde aplicaciones de CD hasta 50 KHz
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza VND7NV04TR-E
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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