Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte Fabricante1N5406G R0GCopiar
No. Parte Newark83AH3150
Rango de Producto1N540xG Series
Su número de pieza
Available to Order by Phone
Comuníquese con nosotros para obtener los detalles de stock más recientes.
Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte Fabricante1N5406G R0GCopiar
No. Parte Newark83AH3150
Rango de Producto1N540xG Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje Reverso Pico Repetitivo600V
Corriente Directa Promedio3A
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Directo Máx.1V
Tiempo de Recuperación Inversa-
Corriente de Sobretensión Directa125A
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Estilo de la Carcasa del DiodoDO-201AD
No. de Pines2Pines
Rango de Producto1N540xG Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
600V
Configuración de Diodo
Single
Tiempo de Recuperación Inversa
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
2Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
3A
Voltaje Directo Máx.
1V
Corriente de Sobretensión Directa
125A
Estilo de la Carcasa del Diodo
DO-201AD
Rango de Producto
1N540xG Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
