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2SK3075(TE12L,Q)
Transistor FET RF, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3075(TE12L,Q)Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08AK8211
Cinta adhesiva08AK8211
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.020 | $7.02 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.02 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.020 |
| 10+ | $5.900 |
| 25+ | $5.530 |
| 50+ | $5.150 |
| 100+ | $4.770 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3075(TE12L,Q)Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08AK8211
Cinta adhesiva08AK8211
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.520MHz
Diseño de TransistorSMD
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Disipación de Potencia
20W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SMD
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
520MHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2SK3075(TE12L,Q)
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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