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2SK3799
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 8 A, 1.3 ohm, TO-220SIS, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3799Copiar
No. Parte Newark25M1426
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3
Resistencia de Activación Rds(on)1.3ohm
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El 2SK3799 es un MOSFET de silicio en modo de mejora de canal N adecuado para aplicaciones de regulador de conmutación.
- Baja resistencia de drenador a fuente en estado de conducción (ON)
- Admisión de transferencia directa elevada
- Baja corriente de fuga
- Modo mejorado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
1.3ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto