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HN1A01F-GR(TE85L,F
Arreglo de Transistores Bipolares, PNP Doble, 50 V, 150 mA
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1A01F-GR(TE85L,F
No. Parte Newark03AM2076
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 25+ | $0.135 |
| 50+ | $0.116 |
| 100+ | $0.096 |
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| 500+ | $0.071 |
| 1000+ | $0.063 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1A01F-GR(TE85L,F
No. Parte Newark03AM2076
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente NPN de Colector Continua-
Corriente PNP de Colector Continua150
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP300
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD120
Diseño de TransistorSOT-26
No. de Pines6Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.125
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP80
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Corriente PNP de Colector Continua
150
Disipación de Potencia PNP
300
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
120
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Frecuencia de Transición PNP
80
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente NPN de Colector Continua
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
-
Diseño de Transistor
SOT-26
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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