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SSM3J338R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J338R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6421
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7963RL
Cinta adhesiva09AK7963
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.423 | $0.42 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.423 |
| 50+ | $0.324 |
| 100+ | $0.270 |
| 250+ | $0.227 |
| 500+ | $0.190 |
| 1000+ | $0.162 |
| 2500+ | $0.133 |
| 5000+ | $0.112 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.135 |
| 6000+ | $0.117 |
| 12000+ | $0.105 |
| 18000+ | $0.096 |
| 30000+ | $0.087 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J338R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6421
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7963RL
Cinta adhesiva09AK7963
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0176ohm
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0176ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto