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SSM3J351R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J351R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6422
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7964RL
Cinta adhesiva09AK7964
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11,189 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.580 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.580 |
| 50+ | $0.445 |
| 100+ | $0.371 |
| 250+ | $0.311 |
| 500+ | $0.261 |
| 1000+ | $0.223 |
| 2500+ | $0.181 |
| 5000+ | $0.154 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.180 |
| 9000+ | $0.170 |
| 15000+ | $0.150 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J351R,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6422
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7964RL
Cinta adhesiva09AK7964
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.134ohm
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.134ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto