Imprimir página
SSM3J35CTC,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J35CTC,L3F(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7431RL
Cinta adhesiva08AK7431
Su número de pieza
3,860 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.336 | $0.34 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.336 |
| 50+ | $0.260 |
| 100+ | $0.158 |
| 250+ | $0.119 |
| 500+ | $0.100 |
| 1000+ | $0.080 |
| 2500+ | $0.064 |
| 5000+ | $0.059 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J35CTC,L3F(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7431RL
Cinta adhesiva08AK7431
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id250
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1
Diseño de TransistorCST
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
CST
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto