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SSM3J56MFV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J56MFV,L3F(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6424
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7966RL
Cinta adhesiva09AK7966
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.372 | $0.37 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.37 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.372 |
| 50+ | $0.286 |
| 100+ | $0.195 |
| 250+ | $0.161 |
| 500+ | $0.136 |
| 1000+ | $0.108 |
| 2500+ | $0.091 |
| 5000+ | $0.075 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 8000+ | $0.090 |
| 24000+ | $0.080 |
| 40000+ | $0.066 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J56MFV,L3F(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6424
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7966RL
Cinta adhesiva09AK7966
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia150mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
150mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto