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SSM3K361R,LXGF(T
MOSFET, N-CH, 100V, 3.5A, SOT-23F ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K361R,LXGF(T
No. Parte Newark01AM0625
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
6,134 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.677 |
| 10+ | $0.567 |
| 25+ | $0.509 |
| 50+ | $0.461 |
| 100+ | $0.405 |
| 250+ | $0.366 |
| 500+ | $0.304 |
| 1000+ | $0.295 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K361R,LXGF(T
No. Parte Newark01AM0625
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.069ohm
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2.4W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.069ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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