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SSM3K72KFS,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K72KFS,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6438
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7984RL
Cinta adhesiva09AK7984
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.234 | $0.23 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.234 |
| 50+ | $0.181 |
| 100+ | $0.110 |
| 250+ | $0.090 |
| 500+ | $0.075 |
| 1000+ | $0.061 |
| 2500+ | $0.048 |
| 5000+ | $0.046 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.048 |
| 6000+ | $0.041 |
| 12000+ | $0.036 |
| 18000+ | $0.029 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K72KFS,LF(TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6438
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7984RL
Cinta adhesiva09AK7984
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-416
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-416
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto