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SSM6L39TU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N y P, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.087 ohm
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L39TU,LF(T
No. Parte Newark09AK7989
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.087
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.087
Diseño de TransistorSOT-363F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500
Disipación de Potencia de Canal P500
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.087
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.087
Diseño de Transistor
SOT-363F
Disipación de Potencia de Canal N
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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