TBD62786AFNG(Z,EL)

El TBD62786AFNG(Z,EL) es un circuito integrado monolítico de silicio BiCD de la serie TBD62786A. Cada salida dispone de un diodo de sujeción interno que limita la fuerza electromotriz inversa generada al accionar cargas inductivas.

• Matriz de transistores DMOS de 8 canales con baja actividad y fuente activa.
• Voltaje de salida alto: 50V (máx., Ta = 25 °C), corriente de salida alta: -500mA (1 canal, Ta = 25 °C).
• Rango de voltaje de entrada de -30 a -2.8V (IOUT = -100mA o más, VDS = 2V, salida activada, Ta = -40 a 85 °C)
• La corriente directa del diodo de sujeción es de 400mA (máx., Ta = -40 a 85 °C).
• La ​​corriente de fuga de salida es de 1.0μA (máx., VIN = 0V, VOUT = VGND = -50V, Ta = 85 °C).
• El consumo de corriente es de 5mA (máx., VIN = -2.8V, VGND = -50V, salida abierta, por canal).
• La ​​corriente de fuga del diodo de sujeción es de 1μA (máx., VR = 50V, Ta = 85 °C).
• El retardo de encendido es de 0.2μs (típico, VOUT = VGND = -50V, RL = 160ohms, CL = 15pF).
• El retardo de apagado es de 2.0μs (típico, VOUT = VGND = -50V, RL = 160ohms, CL = 15pF).
• Paquete SSOP18-P-225-0.65, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a 85 °C

Notas

Tenga cuidado con las condiciones térmicas durante el uso.