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TK30A06N1,S4X(S
MOSFET POT, CANAL N, 60V, 43A
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK30A06N1,S4X(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark08AK7501
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 10+ | $0.903 |
| 100+ | $0.652 |
| 500+ | $0.581 |
| 1000+ | $0.522 |
| 2500+ | $0.447 |
| 10000+ | $0.437 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK30A06N1,S4X(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark08AK7501
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id43
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0122
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220SIS
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia25
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0122
Diseño de Transistor
TO-220SIS
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
25
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
43
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto