Imprimir página
TPH4R008QM,LQ(M1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH4R008QM,LQ(M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)72AK4617RL
Cinta adhesiva72AK4617
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
Su número de pieza
2,792 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.390 | $1.39 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.390 |
| 50+ | $1.190 |
| 100+ | $1.070 |
| 250+ | $0.973 |
| 500+ | $0.817 |
| 1000+ | $0.724 |
| 2500+ | $0.629 |
| 5000+ | $0.603 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH4R008QM,LQ(M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)72AK4617RL
Cinta adhesiva72AK4617
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id140
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia170
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
140
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto