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TPH6400ENH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH6400ENH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6551
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7546RL
Cinta adhesiva08AK7546
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5,576 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.780 | $8.90 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $8.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.780 |
| 10+ | $1.530 |
| 15+ | $1.380 |
| 25+ | $1.250 |
| 50+ | $1.050 |
| 125+ | $0.929 |
| 250+ | $0.807 |
| 500+ | $0.774 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.816 |
| 15000+ | $0.782 |
| 25000+ | $0.711 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH6400ENH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6551
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7546RL
Cinta adhesiva08AK7546
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.064ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia57W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.064ohm
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto