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TPH9R00CQH,LQ(M1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 64 A, 0.009 ohm, SOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH9R00CQH,LQ(M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6553
Re-reeling (Rollos a medida)30AK7487RL
Cinta adhesiva30AK7487
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3,991 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.850 | $2.85 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.850 |
| 50+ | $2.550 |
| 100+ | $2.340 |
| 250+ | $2.140 |
| 500+ | $1.920 |
| 1000+ | $1.720 |
| 2500+ | $1.600 |
| 5000+ | $1.540 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $1.910 |
| 15000+ | $1.820 |
| 25000+ | $1.750 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH9R00CQH,LQ(M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6553
Re-reeling (Rollos a medida)30AK7487RL
Cinta adhesiva30AK7487
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id64A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia3W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
64A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto