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TPN8R903NL,LQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN8R903NL,LQ(S
No. Parte Newark08AK7548
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id37
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0076
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia22
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0076
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
Disipación de Potencia
22
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza TPN8R903NL,LQ(S
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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