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TPW2R508NH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW2R508NH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark72AK4657
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.290 |
| 10+ | $2.900 |
| 25+ | $2.610 |
| 50+ | $2.330 |
| 100+ | $2.040 |
| 250+ | $1.750 |
| 500+ | $1.580 |
| 1000+ | $1.510 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW2R508NH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark72AK4657
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Diseño de TransistorDSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia142
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
170
Diseño de Transistor
DSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
142
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto