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BUZ901D
N CHANNEL MOSFET, 200V, 16A, TO-3
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FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteBUZ901DCopiar
No. Parte Newark96K7203
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteBUZ901DCopiar
No. Parte Newark96K7203
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.75ohm
Diseño de TransistorTO-3
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75ohm
Diseño de Transistor
TO-3
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.75ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto