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D2219UK
Transistor FET RF, 40 V, 2 A, 17.5 W, 1 MHz, 1 GHz, SOIC
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FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteD2219UKCopiar
No. Parte Newark23T0828
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
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No. Parte Newark23T0828
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id2
Disipación de Potencia17.5
Disipación de Potencia Pd17.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Resumen del producto
El D2219UK es un FET de silicio RF de puerta metálica con configuración de un solo extremo para comunicaciones HF/VHF/UHF de aplicaciones de 1MHz a 1GHz. Es un transistor de RF DMOS multiusos metalizado en oro que presenta un diseño de amplificador simplificado y es adecuado para aplicaciones de banda ancha.
- Circuitos de polarización simples
- Bajo nivel de ruido
- Alta ganancia
- Capacidad de transferencia inversa baja
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Disipación de Potencia
17.5
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1
Diseño de Transistor
SOIC
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
2
Disipación de Potencia Pd
17.5W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1
No. de Pines
8Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto