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BPW77NA
Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pines, TO-18
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|---|---|
| 1+ | $3.770 |
| 10+ | $2.540 |
| 25+ | $2.410 |
| 50+ | $2.230 |
| 100+ | $2.050 |
| 500+ | $1.780 |
| 1000+ | $1.680 |
| 2500+ | $1.640 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteBPW77NA
No. Parte Newark95B4218
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.850nm
Ángulo de Visión10°
Consumo de Potencia250mW
Núm. de Contactos3Pines
Diseño de TransistorTO-18
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
El BPW77NA es un fototransistor NPN de silicio con alta sensibilidad radiante en sellado hermético. Es sensible a la radiación infrarroja visible y cercana. Adecuado para radiación infrarroja visible y cercana.
- Alta foto sensibilidad
- Alta sensibilidad radiante
- Tiempos de respuesta rápidos
- Terminal base conectada
- ± 10° Ángulo de media sensibilidad
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
850nm
Consumo de Potencia
250mW
Diseño de Transistor
TO-18
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
10°
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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