Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
296 En Stock
1,000 Puede reservar stock ahora
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.690 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.150 |
| 50+ | $1.110 |
| 100+ | $1.060 |
| 500+ | $1.050 |
| 1000+ | $1.040 |
| 2500+ | $0.963 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.69
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF530PBF
No. Parte Newark63J7316
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd88W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia88
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF530PBF es un MOSFET de potencia de canal N que proporciona la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Disipación de Potencia Pd
88W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
88
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF530PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto