Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

96 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 6 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.840 |
| 10+ | $2.230 |
| 25+ | $2.100 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.850 |
| 500+ | $1.650 |
| 1000+ | $1.600 |
| 2500+ | $1.570 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.84
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF640PBF
No. Parte Newark63J7355
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF640PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Disipación de Potencia Pd
125W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF640PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
