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IRF830SPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830SPBF.Copiar
No. Parte Newark15AC3091
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF830SPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto