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IRF840PBF
MOSFET, N, 500V, 8A, TO-220
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark38K2862
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 10+ | $1.550 |
| 25+ | $1.410 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $0.992 |
| 1000+ | $0.852 |
| 2500+ | $0.786 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark38K2862
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia125W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF840PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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