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IRF9Z14PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z14PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark63J7421
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.220 |
| 10+ | $1.370 |
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| 1000+ | $0.889 |
| 2500+ | $0.887 |
| 10000+ | $0.867 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z14PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark63J7421
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id6.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd43W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia43
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza IRF9Z14PBF
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.5ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
43W
Disipación de Potencia
43
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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