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IRFB9N65APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB9N65APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark56AJ9864
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.340 |
| 10+ | $2.050 |
| 100+ | $1.710 |
| 500+ | $1.610 |
| 1000+ | $1.470 |
| 2500+ | $1.270 |
| 5000+ | $1.240 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB9N65APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark56AJ9864
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id8.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.93
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia167
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
167
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.93
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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