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IRFD014PBF
MOSFET, N, DIL
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD014PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante1 semanas
No. Parte Newark97K1981
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.672 |
| 25+ | $0.596 |
| 50+ | $0.523 |
| 100+ | $0.444 |
| 500+ | $0.375 |
| 1000+ | $0.331 |
| 2500+ | $0.303 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD014PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante1 semanas
No. Parte Newark97K1981
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorDIP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7A
Diseño de Transistor
DIP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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