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IRFI9520GPBF
MOSFET, P-CH, 100V, 5.2A, TO-220
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9520GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark56AJ9879
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.590 |
| 10+ | $1.890 |
| 25+ | $1.840 |
| 50+ | $1.780 |
| 100+ | $1.730 |
| 500+ | $1.440 |
| 1000+ | $1.410 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9520GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark56AJ9879
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia37W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
37W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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