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IRFIB7N50APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIB7N50APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J6740
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIB7N50APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J6740
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id6.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.52
Resistencia de Activación Rds(on)0.52ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220FP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.52
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.52ohm
Disipación de Potencia Pd
60W
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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