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IRFL9014TRPBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL9014TRPBF-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8947RL
Cinta adhesiva80AH8947
Rango de ProductoIRFL9014 Series
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2,217 En Stock
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.600 | $1.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 50+ | $1.280 |
| 100+ | $1.190 |
| 250+ | $1.010 |
| 500+ | $0.947 |
| 1000+ | $0.884 |
| 2500+ | $0.840 |
| 5000+ | $0.825 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL9014TRPBF-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AH8947RL
Cinta adhesiva80AH8947
Rango de ProductoIRFL9014 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.5ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd3.1W
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoIRFL9014 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
3.1W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
IRFL9014 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto