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IRFP22N50APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP22N50APBF
No. Parte Newark63J6854
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia de Activación Rds(on)0.23ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.23
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd277W
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia277
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFP22N50APBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N con carga de puerta baja.
- Requerimientos controlador sencillo
- Puerta mejorada, avalancha y dinámica dV/dt. robustez
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.23ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
277W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
277
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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