Imprimir página
IRFP250PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 30 A, 85 mohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP250PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante72 semanas
No. Parte Newark63J6860
Su número de pieza
342 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.770 |
| 10+ | $4.300 |
| 25+ | $4.130 |
| 50+ | $3.970 |
| 100+ | $3.800 |
| 500+ | $3.670 |
| 1000+ | $3.570 |
| 2500+ | $3.510 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.77
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP250PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante72 semanas
No. Parte Newark63J6860
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia de Activación Rds(on)0.085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFP250PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
- Orificio de montaje central aislado
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.085ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Disipación de Potencia Pd
190W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto