Imprimir página
IRFP460PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
104 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.790 |
| 10+ | $5.780 |
| 25+ | $5.590 |
| 50+ | $5.400 |
| 100+ | $5.200 |
| 250+ | $5.010 |
| 500+ | $4.800 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.79
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP460PBF
No. Parte Newark63J6893
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.27ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd280W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorTO-247
Disipación de Potencia280W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
- Orificio de montaje central aislado
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.27ohm
Disipación de Potencia Pd
280W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
280W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFP460PBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto