Imprimir página
IRFR220PBF
MOSFET POT, CANAL N, 200V, 4.8A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR220PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark38K2609
Su número de pieza
1,656 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.530 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.150 |
| 100+ | $1.110 |
| 500+ | $0.952 |
| 1000+ | $0.884 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.53
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR220PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark38K2609
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id4.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia42W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRFR220PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El DPAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o por onda. Son posibles niveles de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Montaje Superficial
- Clasificado avalancha repetitiva
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRFR220PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto