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IRFS9N60APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFS9N60APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark63J7040
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.770 |
| 10+ | $2.630 |
| 25+ | $2.530 |
| 50+ | $2.430 |
| 100+ | $2.330 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFS9N60APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark63J7040
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id9.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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