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IRFU024PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-251, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU024PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark19K8188
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| 10+ | $1.570 |
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| 500+ | $1.250 |
| 1000+ | $1.140 |
| 2500+ | $1.120 |
| 5000+ | $1.100 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU024PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark19K8188
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id14A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorTO-251
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-251
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
14A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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