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IRFU9014PBF
MOSFET, P, -60V, -5.1A, I-PAK
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU9014PBFCopiar
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No. Parte Newark38K2693
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.766 |
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| 50+ | $0.619 |
| 100+ | $0.541 |
| 500+ | $0.474 |
| 1000+ | $0.431 |
| 2500+ | $0.402 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU9014PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark38K2693
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id5.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFU9014PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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