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IRFU9310PBF
P CHANNEL MOSFET, -400V, 1.8A, IPAK
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU9310PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5341
Re-reeling (Rollos a medida)56AJ9908RL
Cinta adhesiva56AJ9908
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470 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.430 | $2.43 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.43 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.430 |
| 50+ | $1.230 |
| 100+ | $0.957 |
| 250+ | $0.924 |
| 500+ | $0.891 |
| 1000+ | $0.873 |
| 2500+ | $0.855 |
| 5000+ | $0.838 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 75+ | $0.571 |
| 150+ | $0.537 |
| 300+ | $0.509 |
| 450+ | $0.484 |
| 750+ | $0.468 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFU9310PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5341
Re-reeling (Rollos a medida)56AJ9908RL
Cinta adhesiva56AJ9908
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id1.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia50W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7ohm
Diseño de Transistor
TO-251
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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