Imprimir página
IRFZ20PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,680 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.690 |
| 10+ | $0.690 |
| 25+ | $0.690 |
| 50+ | $0.690 |
| 100+ | $0.690 |
| 500+ | $0.690 |
| 1000+ | $0.690 |
| 2500+ | $0.690 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.69
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFZ20PBF
No. Parte Newark19K8195
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia40
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFZ20PBF es un MOSFET de potencia de canal N que ofrece todas las ventajas bien establecidas, como control de voltaje, conmutación muy rápida, facilidad de conexión en paralelo y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos. Es muy adecuado para aplicaciones tales como fuentes de alimentación conmutadas, controles de motores, inversores, choppers y circuitos de pulsos de alta energía, etc. La tecnología ha ampliado su base de productos para satisfacer los requisitos de transistores MOSFET de bajo voltaje y muy bajo RDS (encendido).
- RDS extremadamente bajo (ON)
- Conmutación rápida
- Baja corriente de accionamiento
- Facilidad de paralelismo
- Excelente estabilidad de temperatura
- Calidad partes por millón
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Disipación de Potencia Pd
40W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto